IRFZ44N N-F 55V 41A 83W Rds=0.024 • Items • Pradžia
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Riassunto: Il FET SuperGaN di V generazione di Transphorm raggiunge la più bassa resistenza di conduzione al mondo per un dispositivo impacchettato, in linea con quanto richiesto per l'impiego nei veicoli elettrici
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Transistor MOSFET - BSC022N04LS6 - Infineon Technologies AG - di potenza / di commutazione
An NMOS transistor that is operated with a small vds is found to exhibit a resistance rds. By what - YouTube
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MOSFET alimentazione canale N IRF530 - 100 V - 14A - IRF-530 - Rds 16 mOhm - TO-220 | eBay
CSD15571Q2: CSD15571Q2 RDS off - Power management forum - Power management - TI E2E support forums
10 pz IRF520N TO-220 Transistor IRF520 Transistor MOSFET n-channel (Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id = 9.7A)
IXFH 26N50: MOSFET, canale N, 500 V, 26 A, Rds(on) 0,20 Ohm, TO-247 da reichelt elektronik
Transistor N-MOSFET 100V 75A Rds=0.014 TO22 - 2.01 EUR : acdcshop.gr - Buy online in this price
IXTP96P085T: MOSFET a canale P, -85 V, -96 A, Rds(on) 0,013 Ohm, TO220AB da reichelt elektronik
EPC GaN transistor handles 26-A pulsed output RDS(on) of 65 mΩ
Metal Oxide Field Effect Transistor: What is RDS(on)?
IRF 3205Z: MOSFET, canale N, 55 V, 110 A, RDS(on) 0,0049 Ohm, TO-220AB da reichelt elektronik
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